我国研发性能快了100万倍的一种新型存储芯片

作者:Gman更新于： 2018-04-24 11:19:09

　　存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。今天就跟着小编一起来看一看：我国研发性能快了100万倍的一种新型存储芯片。

　　一、研发一种新的二维非易失性存储芯片

　　相比三星、东芝、美光等等公司，中国现在在DRAM内存、NAND闪存技术上面要落后非常多年了，不过在这里小编想说的是，中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久一段时间有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍，那么现在更加厉害的来了，在这里小编就简单的介绍一下吧。

　　复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，这是传统二维存储芯片的100万倍，除此之外性能相对来说会更加的长，刷新时间是内存的156倍。换一句话来说，也就是说具备了更加强的耐用性。

　　小编相信一些DIY的玩家都应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度非常的快，但是一断电的话就会损失数据，而且成本非常的昂贵，闪存的延迟比内存高一个量级，但是他的好处就是可以保存数据，同一时间成本更加低，所以业界一直在寻找能够直接同一时间具备内存、闪存优点的存储芯片，换一句话来说，也就是能够直接保存数据的同一时间具备极快的速度。

　　二、存储芯片

　　相信大家都应该知道英特尔研发的3DXPoint闪存就有相类似的特性，号称性能是闪存的1000倍，耐用性是闪存的1000倍，在前面的新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术，能够直接在断电的时候保存数据同一时间性能类似内存，仅仅只不过这一些新型存储芯片直至现在还没有达到内存、闪存这样子成熟的地步。

　　大家可以看到，中国学者研发的存储芯片也是这一个方向的，根据他们发表在《自然•纳米技术》这一本杂志上的论文来看的话，他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，主要就是因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下面，会遇到量子效应干扰，所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极（英文全称：semi-floatinggate）晶体管技术，他们据此展示一种具有范德•瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这一种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

　　具体一点来说，也就是与DRAM内存这一个相比的话，它的数据刷新时间是前者的156倍，换一句话来说，也就是能够直接保存更加长时间的数据，同一时间具备纳秒（ns）级的写入速度（NAND闪存的延迟一般在毫秒级），与传统二维材料相比的话，它的速度快了100万倍。所以就小编个人认为，这一种新型内存有望缩小传统内存与闪存这两者之间的差距。

　　当然拉，这一个技术进展还是非常不错的，仅仅只是别指望技术非常快可以以量产，更加不可能够在未来两三年时间里面进入到市场，但凡同一时间具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都会有这一个问题的，并没有成熟到量产上市的地步，传统内存、闪存还有非常长的寿命。

　　小编结语：

　　在这里小编还想补充一点，存储芯片技术主要集中于企业级存储系统的应用，为访问性能、存储协议、管理平台、存储介质，以及多种应用提供高质量的支持。随着数据的快速增长，数据对业务重要性的日益提升，数据存储市场快速演变。